FJL4215OTU,807-0861,Fairchild Semiconductor FJL4215OTU , PNP 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装 ,Fairchild Semiconductor
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FJL4215OTU
Fairchild Semiconductor FJL4215OTU , PNP 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
制造商零件编号:
FJL4215OTU
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0861
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FJL4215OTU产品详细信息
Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor
FJL4215OTU产品技术参数
安装类型
通孔
长度
20mm
尺寸
20 x 5 x 26mm
封装类型
TO-264
高度
26mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
30 MHz
最大功率耗散
150 W
最大集电极-发射极饱和电压
-3 V
最大集电极-发射极电压
250 V
最大集电极-基极电压
-250 V
最大直流集电极电流
17 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
55
关键词
FJL4215OTU相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 20mm
Fairchild Semiconductor 长度 20mm
双极晶体管 长度 20mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 20mm
尺寸 20 x 5 x 26mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 20 x 5 x 26mm
双极晶体管 尺寸 20 x 5 x 26mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 20 x 5 x 26mm
封装类型 TO-264
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-264
双极晶体管 封装类型 TO-264
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-264
高度 26mm
Fairchild Semiconductor 高度 26mm
双极晶体管 高度 26mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 26mm
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 5mm
Fairchild Semiconductor 宽度 5mm
双极晶体管 宽度 5mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 5mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 30 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 30 MHz
双极晶体管 最大工作频率 30 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 30 MHz
最大功率耗散 150 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 150 W
双极晶体管 最大功率耗散 150 W
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 150 W
最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
最大集电极-发射极电压 250 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 250 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
最大集电极-基极电压 -250 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -250 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -250 V
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最大直流集电极电流 17 A
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 17 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 17 A
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最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 55
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 55
双极晶体管 最小直流电流增益 55
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FJL4215OTU产品技术参数资料
2SA1943/FJL4215, PNP Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet
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