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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.1 x 2.3mm
封装类型	DPAK
高度	2.3mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	6.1mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	15 W
最大集电极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大直流集电极电流	3 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	10
关键词

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• KSH31/31C, NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Data Sheet