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安装类型	通孔
长度	9.9mm
尺寸	9.9 x 4.5 x 18.95mm
封装类型	TO-220
高度	18.95mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	1 MHz
最大功率耗散	30 W
最大集电极-发射极饱和电压	1.5 V
最大集电极-发射极电压	80 V
最大集电极-基极电压	80 V
最大直流集电极电流	4 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	15
关键词

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• KSD526, NPN Epitaxial Silicon Transistor, Power Amplifier Applications Data Sheet