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安装类型	通孔
长度	4.58mm
尺寸	4.58 x 3.86 x 4.58mm
封装类型	TO-92
高度	4.58mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.86mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	8 V
最大工作频率	1 MHz
最大功率耗散	800 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.4 V
最大集电极-发射极电压	60 V
最大集电极-基极电压	80 V
最大直流集电极电流	700 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	40
关键词

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• KSC1008, NPN Epitacial Silicon Transistor Data Sheet