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安装类型	通孔
长度	8mm
尺寸	8 x 3.25 x 11mm
封装类型	TO-126
高度	11mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	3.25mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大功率耗散	20 W
最大集电极-发射极电压	300 V
最大集电极-基极电压	-300 V
最大直流集电极电流	500 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	30
关键词

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• MJE350, PNP Epitaxial Silicon Transistor, High Voltage General Purpose Applications Data Sheet