NSS30071MR6T1G,805-4487,ON Semiconductor NSS30071MR6T1G , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:150, 6引脚 SC-74封装 ,ON Semiconductor
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NSS30071MR6T1G
ON Semiconductor NSS30071MR6T1G , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:150, 6引脚 SC-74封装
制造商零件编号：
NSS30071MR6T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-4487
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NSS30071MR6T1G产品详细信息
通用 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NSS30071MR6T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型
SC-74
高度
1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
665 mW
最大基极-发射极饱和电压
1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.4 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
40 V
最大直流集电极电流
700 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
150
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NSS30071MR6T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
ON Semiconductor 长度 3.1mm
双极晶体管 长度 3.1mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型 SC-74
ON Semiconductor 封装类型 SC-74
双极晶体管 封装类型 SC-74
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SC-74
高度 1mm
ON Semiconductor 高度 1mm
双极晶体管 高度 1mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.7mm
ON Semiconductor 宽度 1.7mm
双极晶体管 宽度 1.7mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.7mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 665 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 665 mW
双极晶体管 最大功率耗散 665 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 665 mW
最大基极-发射极饱和电压 1.1 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.1 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.1 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V
最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 30 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
最大集电极-基极电压 40 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 40 V
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最大直流集电极电流 700 mA
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 700 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 700 mA
ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 700 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 150
ON Semiconductor 最小直流电流增益 150
双极晶体管 最小直流电流增益 150
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 150
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NSS30071MR6T1G产品技术参数资料
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