2N3906TAR,805-1053,Fairchild Semiconductor 2N3906TAR , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:60, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装 ,Fairchild Semiconductor
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2N3906TAR
Fairchild Semiconductor 2N3906TAR , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:60, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
2N3906TAR
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1053
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2N3906TAR产品详细信息
小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor
2N3906TAR产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.2mm
尺寸
5.2 x 4.19 x 5.33mm
封装类型
TO-92
高度
5.33mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.19mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
250 MHz
最大功率耗散
625 mW
最大基极-发射极饱和电压
-0.85 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.25 V
最大集电极-发射极电压
40 V
最大集电极-基极电压
-40 V
最大直流集电极电流
200 mA
最低工作温度
-50 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
60
关键词
2N3906TAR相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 5.2mm
Fairchild Semiconductor 长度 5.2mm
双极晶体管 长度 5.2mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 5.2mm
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
双极晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92
双极晶体管 封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.33mm
Fairchild Semiconductor 高度 5.33mm
双极晶体管 高度 5.33mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 5.33mm
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.19mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.19mm
双极晶体管 宽度 4.19mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.19mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 250 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 250 MHz
双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
最大功率耗散 625 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 625 mW
双极晶体管 最大功率耗散 625 mW
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 625 mW
最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.25 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.25 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.25 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.25 V
最大集电极-发射极电压 40 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 40 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V
最大集电极-基极电压 -40 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -40 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -40 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -40 V
最大直流集电极电流 200 mA
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 200 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 200 mA
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 200 mA
最低工作温度 -50 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -50 °C
双极晶体管 最低工作温度 -50 °C
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -50 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 60
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 60
双极晶体管 最小直流电流增益 60
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 60
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2N3906TAR产品技术参数资料
2N3906 / MMBT3906 / PZT3906, PNP General Purpose Amplifier Data Sheet
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