关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	5.2mm
尺寸	5.2 x 4.19 x 5.33mm
封装类型	TO-92
高度	5.33mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.19mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	6 V
最大工作频率	300 MHz
最大功率耗散	625 mW
最大基极-发射极饱和电压	0.95 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	40 V
最大集电极-基极电压	60 V
最大直流集电极电流	200 mA
最低工作温度	-50 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	30
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.2mm  双极晶体管 长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 5.2mm   尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  双极晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm   封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92  双极晶体管 封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-92   高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor 高度 5.33mm  双极晶体管 高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 5.33mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.19mm  双极晶体管 宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.19mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 6 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V   最大工作频率 300 MHz  Fairchild Semiconductor 最大工作频率 300 MHz  双极晶体管 最大工作频率 300 MHz  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 300 MHz   最大功率耗散 625 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 625 mW  双极晶体管 最大功率耗散 625 mW  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 625 mW   最大基极-发射极饱和电压 0.95 V  Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 40 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 40 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V   最大集电极-基极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 60 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 60 V   最大直流集电极电流 200 mA  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 200 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 200 mA  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 200 mA   最低工作温度 -50 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -50 °C  双极晶体管 最低工作温度 -50 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -50 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 30  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 30  双极晶体管 最小直流电流增益 30  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 30  

• 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904, NPN General Purpose Amplifier Data Sheet