FJP3305H2TU,805-0381,Fairchild Semiconductor FJP3305H2TU , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:8, 4 MHz, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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FJP3305H2TU
Fairchild Semiconductor FJP3305H2TU , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:8, 4 MHz, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
FJP3305H2TU
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0381
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FJP3305H2TU产品详细信息
高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
FJP3305H2TU产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 4.83 x 16.51mm
封装类型
TO-220
高度
16.51mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.83mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
9 V
最大工作频率
4 MHz
最大功率耗散
75 W
最大基极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极饱和电压
1 V
最大集电极-发射极电压
400 V
最大集电极-基极电压
700 V
最大直流集电极电流
4 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
8
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FJP3305H2TU相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 10.67mm
Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm
双极晶体管 长度 10.67mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
双极晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220
双极晶体管 封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-220
高度 16.51mm
Fairchild Semiconductor 高度 16.51mm
双极晶体管 高度 16.51mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 16.51mm
晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.83mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.83mm
双极晶体管 宽度 4.83mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.83mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 9 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 9 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
最大工作频率 4 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 4 MHz
双极晶体管 最大工作频率 4 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 4 MHz
最大功率耗散 75 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 75 W
双极晶体管 最大功率耗散 75 W
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 75 W
最大基极-发射极饱和电压 1.6 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V
最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
最大集电极-发射极电压 400 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 400 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
最大集电极-基极电压 700 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 700 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 700 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 700 V
最大直流集电极电流 4 A
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 4 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 4 A
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最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 8
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 8
双极晶体管 最小直流电流增益 8
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FJP3305H2TU产品技术参数资料
FJP3305, High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor TO-220
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