BC550CTA,803-1125,Fairchild Semiconductor BC550CTA , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装 ,Fairchild Semiconductor
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BC550CTA
Fairchild Semiconductor BC550CTA , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
BC550CTA
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1125
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BC550CTA产品详细信息
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
BC550CTA产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.58mm
尺寸
4.58 x 3.86 x 4.58mm
封装类型
TO-92
高度
4.58mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
3.86mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
1 MHz
最大功率耗散
500 mW
最大基极-发射极饱和电压
900 mV
最大集电极-发射极饱和电压
600 mV
最大集电极-发射极电压
45 V
最大集电极-基极电压
50 V
最大直流集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
110
关键词
BC550CTA相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 4.58mm
Fairchild Semiconductor 长度 4.58mm
双极晶体管 长度 4.58mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 4.58mm
尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm
双极晶体管 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm
封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92
双极晶体管 封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.58mm
Fairchild Semiconductor 高度 4.58mm
双极晶体管 高度 4.58mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 4.58mm
晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.86mm
Fairchild Semiconductor 宽度 3.86mm
双极晶体管 宽度 3.86mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.86mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 1 MHz
双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 500 mW
双极晶体管 最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 500 mW
最大基极-发射极饱和电压 900 mV
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
最大集电极-发射极电压 45 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 45 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 50 V
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最大直流集电极电流 100 mA
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 100 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA
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最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 110
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 110
双极晶体管 最小直流电流增益 110
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 110
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BC550CTA产品技术参数资料
BC546/547/548/549/550, NPN Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet
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