MJL21196G,802-4540,ON Semiconductor MJL21196G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装 ,ON Semiconductor
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MJL21196G
ON Semiconductor MJL21196G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装
制造商零件编号：
MJL21196G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-4540
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJL21196G产品详细信息
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
MJL21196G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
20.3mm
尺寸
20.3 x 5.3 x 26.4mm
封装类型
TO-264
高度
26.4mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
5.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
1 MHz
最大功率耗散
200 W
最大集电极-发射极饱和电压
4 V 直流
最大集电极-发射极电压
250 V
最大集电极-基极电压
400 V 直流
最大直流集电极电流
16 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
8
关键词
MJL21196G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 20.3mm
ON Semiconductor 长度 20.3mm
双极晶体管 长度 20.3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 20.3mm
尺寸 20.3 x 5.3 x 26.4mm
ON Semiconductor 尺寸 20.3 x 5.3 x 26.4mm
双极晶体管 尺寸 20.3 x 5.3 x 26.4mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 20.3 x 5.3 x 26.4mm
封装类型 TO-264
ON Semiconductor 封装类型 TO-264
双极晶体管 封装类型 TO-264
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-264
高度 26.4mm
ON Semiconductor 高度 26.4mm
双极晶体管 高度 26.4mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 26.4mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.3mm
ON Semiconductor 宽度 5.3mm
双极晶体管 宽度 5.3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 5.3mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 1 MHz
双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
最大功率耗散 200 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 200 W
双极晶体管 最大功率耗散 200 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 200 W
最大集电极-发射极饱和电压 4 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V 直流
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V 直流
最大集电极-发射极电压 250 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 250 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 250 V
最大集电极-基极电压 400 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 400 V 直流
双极晶体管 最大集电极-基极电压 400 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 400 V 直流
最大直流集电极电流 16 A
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双极晶体管 最大直流集电极电流 16 A
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 8
ON Semiconductor 最小直流电流增益 8
双极晶体管 最小直流电流增益 8
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MJL21196G产品技术参数资料
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