MAT12AHZ,802-3666,Analog Devices MAT12AHZ, 双 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=10 V, HFE:200, 200 MHz, 6引脚 TO-78封装 ,Analog Devices
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MAT12AHZ
Analog Devices MAT12AHZ, 双 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=10 V, HFE:200, 200 MHz, 6引脚 TO-78封装
制造商零件编号:
MAT12AHZ
制造商:
Analog Devices
Analog Devices
库存编号:
802-3666
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MAT12AHZ产品详细信息
匹配双路和四路晶体管,Analog Devices
MAT12AHZ产品技术参数
安装类型
通孔
尺寸
9.4 (Dia.) x 4.7mm
封装类型
TO-78
高度
4.7mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
隔离式
宽度
8.51 (Dia.)mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
直径
9.4mm
最大工作频率
200 MHz
最大集电极-发射极饱和电压
0.2 V
最大集电极-发射极电压
10 V
最大集电极-基极电压
15 V
最大直流集电极电流
20 mA
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小直流电流增益
200
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MAT12AHZ相关搜索
安装类型 通孔
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双极晶体管 安装类型 通孔
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尺寸 9.4 (Dia.) x 4.7mm
Analog Devices 尺寸 9.4 (Dia.) x 4.7mm
双极晶体管 尺寸 9.4 (Dia.) x 4.7mm
Analog Devices 双极晶体管 尺寸 9.4 (Dia.) x 4.7mm
封装类型 TO-78
Analog Devices 封装类型 TO-78
双极晶体管 封装类型 TO-78
Analog Devices 双极晶体管 封装类型 TO-78
高度 4.7mm
Analog Devices 高度 4.7mm
双极晶体管 高度 4.7mm
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晶体管类型 NPN
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双极晶体管 晶体管类型 NPN
Analog Devices 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 隔离式
Analog Devices 晶体管配置 隔离式
双极晶体管 晶体管配置 隔离式
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宽度 8.51 (Dia.)mm
Analog Devices 宽度 8.51 (Dia.)mm
双极晶体管 宽度 8.51 (Dia.)mm
Analog Devices 双极晶体管 宽度 8.51 (Dia.)mm
每片芯片元件数目 2
Analog Devices 每片芯片元件数目 2
双极晶体管 每片芯片元件数目 2
Analog Devices 双极晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
Analog Devices 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
Analog Devices 双极晶体管 引脚数目 6
直径 9.4mm
Analog Devices 直径 9.4mm
双极晶体管 直径 9.4mm
Analog Devices 双极晶体管 直径 9.4mm
最大工作频率 200 MHz
Analog Devices 最大工作频率 200 MHz
双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
Analog Devices 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V
Analog Devices 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V
Analog Devices 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V
最大集电极-发射极电压 10 V
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双极晶体管 最大集电极-发射极电压 10 V
Analog Devices 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 10 V
最大集电极-基极电压 15 V
Analog Devices 最大集电极-基极电压 15 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 15 V
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最大直流集电极电流 20 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 20 mA
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最低工作温度 -40 °C
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双极晶体管 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
Analog Devices 最高工作温度 +85 °C
双极晶体管 最高工作温度 +85 °C
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最小直流电流增益 200
Analog Devices 最小直流电流增益 200
双极晶体管 最小直流电流增益 200
Analog Devices 双极晶体管 最小直流电流增益 200
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MAT12AHZ产品技术参数资料
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