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安装类型	通孔
长度	8.3mm
尺寸	8.3 x 3.45 x 11.2mm
封装类型	TO-236
高度	11.2mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.45mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	12.5 W
最大集电极-发射极饱和电压	0.5 V
最大集电极-发射极电压	60 V
最大集电极-基极电压	45 V
最大直流集电极电流	1.5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	40
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 8.3mm  Fairchild Semiconductor 长度 8.3mm  双极晶体管 长度 8.3mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 8.3mm   尺寸 8.3 x 3.45 x 11.2mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 8.3 x 3.45 x 11.2mm  双极晶体管 尺寸 8.3 x 3.45 x 11.2mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 8.3 x 3.45 x 11.2mm   封装类型 TO-236  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-236  双极晶体管 封装类型 TO-236  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-236   高度 11.2mm  Fairchild Semiconductor 高度 11.2mm  双极晶体管 高度 11.2mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 11.2mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.45mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.45mm  双极晶体管 宽度 3.45mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.45mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 12.5 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 12.5 W  双极晶体管 最大功率耗散 12.5 W  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 12.5 W   最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V   最大集电极-发射极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V   最大集电极-基极电压 45 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 45 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V   最大直流集电极电流 1.5 A  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 1.5 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 1.5 A  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 1.5 A   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 40  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 40  双极晶体管 最小直流电流增益 40  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 40  

• BD135 / 137 / 139, NPN Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet