NJL0281DG,802-1783,ON Semiconductor NJL0281DG , NPN 双极晶体管, 25 A, Vce=260 V, HFE:75, 5引脚 TO-264封装 ,ON Semiconductor
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NJL0281DG
ON Semiconductor NJL0281DG , NPN 双极晶体管, 25 A, Vce=260 V, HFE:75, 5引脚 TO-264封装
制造商零件编号：
NJL0281DG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
802-1783
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NJL0281DG产品详细信息
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NJL0281DG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
20.02mm
尺寸
20.015 x 5.182 x 26.111mm
封装类型
TO-264
高度
26.111mm
晶体管类型
NPN
宽度
5.182mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
5
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
180 W
最大集电极-发射极饱和电压
1 V 直流
最大集电极-发射极电压
260 V
最大集电极-基极电压
260 V 直流
最大直流集电极电流
25 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
75
关键词
NJL0281DG相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 20.02mm
ON Semiconductor 长度 20.02mm
双极晶体管 长度 20.02mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 20.02mm
尺寸 20.015 x 5.182 x 26.111mm
ON Semiconductor 尺寸 20.015 x 5.182 x 26.111mm
双极晶体管 尺寸 20.015 x 5.182 x 26.111mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 20.015 x 5.182 x 26.111mm
封装类型 TO-264
ON Semiconductor 封装类型 TO-264
双极晶体管 封装类型 TO-264
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-264
高度 26.111mm
ON Semiconductor 高度 26.111mm
双极晶体管 高度 26.111mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 26.111mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
宽度 5.182mm
ON Semiconductor 宽度 5.182mm
双极晶体管 宽度 5.182mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 5.182mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 5
ON Semiconductor 引脚数目 5
双极晶体管 引脚数目 5
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 5
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 180 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 180 W
双极晶体管 最大功率耗散 180 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 180 W
最大集电极-发射极饱和电压 1 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1 V 直流
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V 直流
最大集电极-发射极电压 260 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 260 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 260 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 260 V
最大集电极-基极电压 260 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 260 V 直流
双极晶体管 最大集电极-基极电压 260 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 260 V 直流
最大直流集电极电流 25 A
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 25 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 25 A
ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 25 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 75
ON Semiconductor 最小直流电流增益 75
双极晶体管 最小直流电流增益 75
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 75
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NJL0281DG产品技术参数资料
NJL0281D (NPN) NJL0302D (PNP) Complementary ThermalTrak Transistors
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