BC858BWT1G,800-9676,ON Semiconductor BC858BWT1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SC-70封装 ,ON Semiconductor
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BC858BWT1G
ON Semiconductor BC858BWT1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SC-70封装
制造商零件编号：
BC858BWT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9676
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BC858BWT1G产品详细信息
小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BC858BWT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 0.9mm
封装类型
SC-70
高度
0.9mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
150 mW
最大基极-发射极饱和电压
-0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.65 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
-30 V
最大直流集电极电流
100 mA
最低工作温度
-50 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
220
关键词
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
双极晶体管 长度 2.2mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
封装类型 SC-70
ON Semiconductor 封装类型 SC-70
双极晶体管 封装类型 SC-70
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SC-70
高度 0.9mm
ON Semiconductor 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
双极晶体管 宽度 1.35mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 150 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 150 mW
双极晶体管 最大功率耗散 150 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 150 mW
最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 30 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
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最大直流集电极电流 100 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA
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最低工作温度 -50 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -50 °C
双极晶体管 最低工作温度 -50 °C
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 220
ON Semiconductor 最小直流电流增益 220
双极晶体管 最小直流电流增益 220
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 220
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BC858BWT1G产品技术参数资料
Datasheet
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