BC856BM3T5G,800-9651,ON Semiconductor BC856BM3T5G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-723封装 ,ON Semiconductor
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BC856BM3T5G
ON Semiconductor BC856BM3T5G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-723封装
制造商零件编号：
BC856BM3T5G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9651
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BC856BM3T5G产品详细信息
通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
BC856BM3T5G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.25mm
尺寸
1.25 x 0.85 x 0.55mm
封装类型
SOT-723
高度
0.55mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
0.85mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
265 mW
最大基极-发射极饱和电压
-0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.65 V
最大集电极-发射极电压
65 V
最大集电极-基极电压
-80 V
最大直流集电极电流
100 mA
最低工作温度
-50 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
220
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BC856BM3T5G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.25mm
ON Semiconductor 长度 1.25mm
双极晶体管 长度 1.25mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 1.25mm
尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
ON Semiconductor 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
双极晶体管 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 1.25 x 0.85 x 0.55mm
封装类型 SOT-723
ON Semiconductor 封装类型 SOT-723
双极晶体管 封装类型 SOT-723
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-723
高度 0.55mm
ON Semiconductor 高度 0.55mm
双极晶体管 高度 0.55mm
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晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 0.85mm
ON Semiconductor 宽度 0.85mm
双极晶体管 宽度 0.85mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 0.85mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 265 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 265 mW
双极晶体管 最大功率耗散 265 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 265 mW
最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 220
ON Semiconductor 最小直流电流增益 220
双极晶体管 最小直流电流增益 220
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BC856BM3T5G产品技术参数资料
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