2SD1012G-SPA-AC,800-9342,ON Semiconductor 2SD1012G-SPA-AC , NPN 双极晶体管, 700 mA, Vce=15 V, HFE:80, 250 MHz, 3引脚 SPA-WA封装 ,ON Semiconductor
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2SD1012G-SPA-AC
ON Semiconductor 2SD1012G-SPA-AC , NPN 双极晶体管, 700 mA, Vce=15 V, HFE:80, 250 MHz, 3引脚 SPA-WA封装
制造商零件编号:
2SD1012G-SPA-AC
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
800-9342
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SD1012G-SPA-AC产品详细信息
通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
2SD1012G-SPA-AC产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4mm
尺寸
4 x 2.2 x 3mm
封装类型
SPA-WA
高度
3mm
晶体管类型
NPN
宽度
2.2mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
250 MHz
最大功率耗散
250 mW
最大基极-发射极饱和电压
1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
80 V
最大集电极-发射极电压
15 V
最大集电极-基极电压
20 V
最大直流集电极电流
700 mA
最高工作温度
+125 °C
最小直流电流增益
80
关键词
2SD1012G-SPA-AC相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 4mm
ON Semiconductor 长度 4mm
双极晶体管 长度 4mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 4mm
尺寸 4 x 2.2 x 3mm
ON Semiconductor 尺寸 4 x 2.2 x 3mm
双极晶体管 尺寸 4 x 2.2 x 3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4 x 2.2 x 3mm
封装类型 SPA-WA
ON Semiconductor 封装类型 SPA-WA
双极晶体管 封装类型 SPA-WA
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SPA-WA
高度 3mm
ON Semiconductor 高度 3mm
双极晶体管 高度 3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 3mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
宽度 2.2mm
ON Semiconductor 宽度 2.2mm
双极晶体管 宽度 2.2mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.2mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 250 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 250 MHz
双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
最大功率耗散 250 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 80 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 80 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 80 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 80 V
最大集电极-发射极电压 15 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 15 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 15 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 15 V
最大集电极-基极电压 20 V
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 20 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V
最大直流集电极电流 700 mA
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 700 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 700 mA
ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 700 mA
最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
双极晶体管 最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +125 °C
最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 最小直流电流增益 80
双极晶体管 最小直流电流增益 80
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 80
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2SD1012G-SPA-AC产品技术参数资料
2SD1012, Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA Data Sheet
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