2SB1121T-TD-E,800-9272,ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=25 V, HFE:140, 150 MHz, 3引脚 PCP封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=25 V, HFE:140, 150 MHz, 3引脚 PCP封装

制造商零件编号：
2SB1121T-TD-E
库存编号：
800-9272
ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E
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2SB1121T-TD-E产品详细信息

通用 PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor

标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

2SB1121T-TD-E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.5mm  
  尺寸  4.5 x 2.5 x 1.5mm  
  封装类型  PCP  
  高度  1.5mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  -6 V  
  最大工作频率  150 MHz  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大基极-发射极饱和电压  -1.2 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  -0.6 V  
  最大集电极-发射极电压  25 V  
  最大集电极-基极电压  -30 V  
  最大直流集电极电流  2 A  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  140  
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安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  ON Semiconductor 长度 4.5mm  双极晶体管 长度 4.5mm  ON Semiconductor 双极晶体管 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm  ON Semiconductor 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm  双极晶体管 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm  ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm   封装类型 PCP  ON Semiconductor 封装类型 PCP  双极晶体管 封装类型 PCP  ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 PCP   高度 1.5mm  ON Semiconductor 高度 1.5mm  双极晶体管 高度 1.5mm  ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.5mm   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.5mm  ON Semiconductor 宽度 2.5mm  双极晶体管 宽度 2.5mm  ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.5mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -6 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -6 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V   最大工作频率 150 MHz  ON Semiconductor 最大工作频率 150 MHz  双极晶体管 最大工作频率 150 MHz  ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 150 MHz   最大功率耗散 1.3 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 1.3 W  双极晶体管 最大功率耗散 1.3 W  ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V   最大集电极-发射极电压 25 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 25 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 25 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 25 V   最大集电极-基极电压 -30 V  ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 -30 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -30 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -30 V   最大直流集电极电流 2 A  ON Semiconductor 最大直流集电极电流 2 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A  ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 140  ON Semiconductor 最小直流电流增益 140  双极晶体管 最小直流电流增益 140  ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 140  
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2SB1121T-TD-E
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TRANS PNP 25V 2A SOT89-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V

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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V

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Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R (Alt: 2SB1121T-TD-E)

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2SB1121T-TD-E
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Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R - Tape and Reel (Alt: 2SB1121T-TD-E)

RoHS: Compliant

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ON Semi 2SB1121T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 25 V, 3-Pin PCP

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ON Semiconductor		TRANS PNP BIPO 2A 25V SOT89-3
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ON Semiconductor - 2SB1121T-TD-E - ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=25 V, HFE:140, 150 MHz, 3引脚 PCP封装
制造商零件编号：
2SB1121T-TD-E
品牌：
ON Semiconductor
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800-9272
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ON Semiconductor - 2SB1121T-TD-E - 3-Pin PCP 25 V 2 A ON Semi 2SB1121T-TD-E PNP Bipolar Transistor|70465711 | ChuangWei Electronics		ON Semiconductor
ON Semi 2SB1121T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 25 V, 3-Pin PCP

型号：2SB1121T-TD-E
仓库库存编号：70465711

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2SB1121T-TD-E产品技术参数资料

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