2SA1943N(S1,E,S),799-4753,Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) , PNP 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) , PNP 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
2SA1943N(S1,E,S)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
799-4753
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SA1943N(S1,E,S)产品详细信息
PNP 功率晶体管,Toshiba
2SA1943N(S1,E,S)产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 4.5 x 20mm
封装类型
TO-3PN
高度
20mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
30 MHz
最大功率耗散
150 W
最大集电极-发射极饱和电压
-3 V
最大集电极-发射极电压
230 V
最大集电极-基极电压
-230 V
最大直流集电极电流
15 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
35
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2SA1943N(S1,E,S)相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
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长度 15.5mm
Toshiba 长度 15.5mm
双极晶体管 长度 15.5mm
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尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
双极晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
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封装类型 TO-3PN
Toshiba 封装类型 TO-3PN
双极晶体管 封装类型 TO-3PN
Toshiba 双极晶体管 封装类型 TO-3PN
高度 20mm
Toshiba 高度 20mm
双极晶体管 高度 20mm
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晶体管类型 PNP
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双极晶体管 晶体管类型 PNP
Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
双极晶体管 宽度 4.5mm
Toshiba 双极晶体管 宽度 4.5mm
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 -5 V
Toshiba 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 30 MHz
Toshiba 最大工作频率 30 MHz
双极晶体管 最大工作频率 30 MHz
Toshiba 双极晶体管 最大工作频率 30 MHz
最大功率耗散 150 W
Toshiba 最大功率耗散 150 W
双极晶体管 最大功率耗散 150 W
Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 150 W
最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -3 V
最大集电极-发射极电压 230 V
Toshiba 最大集电极-发射极电压 230 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 230 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 230 V
最大集电极-基极电压 -230 V
Toshiba 最大集电极-基极电压 -230 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -230 V
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最大直流集电极电流 15 A
Toshiba 最大直流集电极电流 15 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 15 A
Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 15 A
最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
Toshiba 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 35
Toshiba 最小直流电流增益 35
双极晶体管 最小直流电流增益 35
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Q Q:
800152669
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2SA1943N(S1,E,S)产品技术参数资料
2SA1943N Silicon PNP Triple-Diffused Bipolar Transistor Data Sheet
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