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安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 7 x 2.3mm
封装类型	DPAK
高度	2.3mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	7mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大工作频率	60 MHz
最大功率耗散	20 W
最大基极-发射极饱和电压	-1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	-0.4 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大集电极-基极电压	-50 V
最大直流集电极电流	5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	30
关键词

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Toshiba 长度 6.5mm  双极晶体管 长度 6.5mm  Toshiba 双极晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 7 x 2.3mm  Toshiba 尺寸 6.5 x 7 x 2.3mm  双极晶体管 尺寸 6.5 x 7 x 2.3mm  Toshiba 双极晶体管 尺寸 6.5 x 7 x 2.3mm   封装类型 DPAK  Toshiba 封装类型 DPAK  双极晶体管 封装类型 DPAK  Toshiba 双极晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.3mm  Toshiba 高度 2.3mm  双极晶体管 高度 2.3mm  Toshiba 双极晶体管 高度 2.3mm   晶体管类型 PNP  Toshiba 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Toshiba 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 7mm  Toshiba 宽度 7mm  双极晶体管 宽度 7mm  Toshiba 双极晶体管 宽度 7mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Toshiba 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Toshiba 最大发射极-基极电压 -5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大工作频率 60 MHz  Toshiba 最大工作频率 60 MHz  双极晶体管 最大工作频率 60 MHz  Toshiba 双极晶体管 最大工作频率 60 MHz   最大功率耗散 20 W  Toshiba 最大功率耗散 20 W  双极晶体管 最大功率耗散 20 W  Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 20 W   最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  Toshiba 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V  Toshiba 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 -0.4 V  Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 -0.4 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.4 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.4 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Toshiba 最大集电极-发射极电压 50 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大集电极-基极电压 -50 V  Toshiba 最大集电极-基极电压 -50 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V   最大直流集电极电流 5 A  Toshiba 最大直流集电极电流 5 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 5 A  Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 5 A   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 30  Toshiba 最小直流电流增益 30  双极晶体管 最小直流电流增益 30  Toshiba 双极晶体管 最小直流电流增益 30  

• 2SA1244 Silicon PNP Epitaxial Transistor Data Sheet