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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1.2mm
封装类型	SOT-23
高度	1.2mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大功率耗散	250 mW
最大基极-发射极饱和电压	-1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	-0.65 V
最大集电极-发射极电压	45 V
最大集电极-基极电压	-50 V
最大直流集电极电流	100 mA
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	420
关键词

安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Taiwan Semiconductor 长度 3mm  双极晶体管 长度 3mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.4 x 1.2mm  Taiwan Semiconductor 尺寸 3 x 1.4 x 1.2mm  双极晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.2mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.2mm   封装类型 SOT-23  Taiwan Semiconductor 封装类型 SOT-23  双极晶体管 封装类型 SOT-23  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.2mm  Taiwan Semiconductor 高度 1.2mm  双极晶体管 高度 1.2mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 高度 1.2mm   晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Taiwan Semiconductor 宽度 1.4mm  双极晶体管 宽度 1.4mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.4mm   每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Taiwan Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Taiwan Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大功率耗散 250 mW  Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 250 mW  双极晶体管 最大功率耗散 250 mW  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  Taiwan Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V   最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.65 V   最大集电极-发射极电压 45 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极电压 45 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V   最大集电极-基极电压 -50 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-基极电压 -50 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V   最大直流集电极电流 100 mA  Taiwan Semiconductor 最大直流集电极电流 100 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 100 mA   最低工作温度 -55 °C  Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 420  Taiwan Semiconductor 最小直流电流增益 420  双极晶体管 最小直流电流增益 420  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 420  

• BC856A/B, BC857A/B/C, BC858A/B/C, 250mW, PNP Small Signal Transistor