2SD1802T-TL-E,792-5127,ON Semiconductor 2SD1802T-TL-E , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:35, 150 MHz, 3引脚 TP-FA封装 ,ON Semiconductor
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2SD1802T-TL-E
ON Semiconductor 2SD1802T-TL-E , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:35, 150 MHz, 3引脚 TP-FA封装
制造商零件编号：
2SD1802T-TL-E
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
792-5127
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2SD1802T-TL-E产品详细信息
通用 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
2SD1802T-TL-E产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 5.5 x 2.3mm
封装类型
TP-FA
高度
2.3mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
5.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
150 MHz
最大功率耗散
15 W
最大基极-发射极饱和电压
1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.5 mV
最大集电极-发射极电压
50 V
最大集电极-基极电压
60 V
最大直流集电极电流
3 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
35
关键词
2SD1802T-TL-E相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
ON Semiconductor 长度 6.5mm
双极晶体管 长度 6.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
ON Semiconductor 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
双极晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
封装类型 TP-FA
ON Semiconductor 封装类型 TP-FA
双极晶体管 封装类型 TP-FA
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TP-FA
高度 2.3mm
ON Semiconductor 高度 2.3mm
双极晶体管 高度 2.3mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 2.3mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.5mm
ON Semiconductor 宽度 5.5mm
双极晶体管 宽度 5.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 5.5mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大工作频率 150 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 150 MHz
双极晶体管 最大工作频率 150 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 150 MHz
最大功率耗散 15 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 15 W
双极晶体管 最大功率耗散 15 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 15 W
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 mV
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 mV
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 mV
最大集电极-发射极电压 50 V
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双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大集电极-基极电压 60 V
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最大直流集电极电流 3 A
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 3 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 35
ON Semiconductor 最小直流电流增益 35
双极晶体管 最小直流电流增益 35
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2SD1802T-TL-E产品技术参数资料
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