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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
封装类型	TSOP
高度	1mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	隔离式
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	6
最大发射极-基极电压	-5 V
最大功率耗散	370 mW
最大集电极-发射极饱和电压	-700 mV
最大集电极-发射极电压	45 V
最大集电极-基极电压	-50 V
最大直流集电极电流	500 mA
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	40
关键词

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• BC807DS, PNP General Purpose Double Transistor Data Sheet