NSV60600MZ4T1G,790-5485,ON Semiconductor NSV60600MZ4T1G , PNP 晶体管, 6 A, Vce=60 V, HFE:70, 1 MHz, 3+Tab引脚 SOT-223封装 ,ON Semiconductor
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NSV60600MZ4T1G
ON Semiconductor NSV60600MZ4T1G , PNP 晶体管, 6 A, Vce=60 V, HFE:70, 1 MHz, 3+Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号：
NSV60600MZ4T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
790-5485
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NSV60600MZ4T1G产品详细信息
通用 PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NSV60600MZ4T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.65mm
封装类型
SOT-223
高度
1.65mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
每片芯片元件数目
1
汽车标准
AEC-Q101
引脚数目
3+Tab
最大发射极-基极电压
-6 V
最大工作频率
1 MHz
最大功率耗散
800 mW
最大基极-发射极饱和电压
-1 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.35 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
-100 V 直流
最大直流集电极电流
6 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
70
关键词
NSV60600MZ4T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
ON Semiconductor 长度 6.7mm
双极晶体管 长度 6.7mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm
ON Semiconductor 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm
双极晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm
封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 封装类型 SOT-223
双极晶体管 封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.65mm
ON Semiconductor 高度 1.65mm
双极晶体管 高度 1.65mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.65mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.7mm
ON Semiconductor 宽度 3.7mm
双极晶体管 宽度 3.7mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.7mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 汽车标准 AEC-Q101
双极晶体管 汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 双极晶体管 汽车标准 AEC-Q101
引脚数目 3+Tab
ON Semiconductor 引脚数目 3+Tab
双极晶体管 引脚数目 3+Tab
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3+Tab
最大发射极-基极电压 -6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 -6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V
最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 1 MHz
双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
最大功率耗散 800 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 800 mW
双极晶体管 最大功率耗散 800 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 800 mW
最大基极-发射极饱和电压 -1 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.35 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.35 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.35 V
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最大集电极-发射极电压 60 V
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最大集电极-基极电压 -100 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 -100 V 直流
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V 直流
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最大直流集电极电流 6 A
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双极晶体管 最大直流集电极电流 6 A
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 70
ON Semiconductor 最小直流电流增益 70
双极晶体管 最小直流电流增益 70
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 70
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NSV60600MZ4T1G产品技术参数资料
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