BD809G,790-5296,ON Semiconductor BD809G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor BD809G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
BD809G
库存编号：
790-5296
ON Semiconductor BD809G
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BD809G
库存编号:BD809GOS-ND		 onsemi TRANS NPN 80V 10A TO-2200
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BD809G产品详细信息

NPN 功率晶体管，ON Semiconductor

标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

BD809G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.28mm  
  尺寸  10.28 x 4.82 x 15.75mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.82mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  1 MHz  
  最大功率耗散  90 W  
  最大集电极-发射极饱和电压  1.1 V 直流  
  最大集电极-发射极电压  80 V  
  最大集电极-基极电压  80 V 直流  
  最大直流集电极电流  10 A  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  15  
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安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 10.28mm  ON Semiconductor 长度 10.28mm  双极晶体管 长度 10.28mm  ON Semiconductor 双极晶体管 长度 10.28mm   尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm  ON Semiconductor 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm  双极晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm  ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm   封装类型 TO-220  ON Semiconductor 封装类型 TO-220  双极晶体管 封装类型 TO-220  ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  ON Semiconductor 高度 15.75mm  双极晶体管 高度 15.75mm  ON Semiconductor 双极晶体管 高度 15.75mm   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.82mm  ON Semiconductor 宽度 4.82mm  双极晶体管 宽度 4.82mm  ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.82mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大工作频率 1 MHz  ON Semiconductor 最大工作频率 1 MHz  双极晶体管 最大工作频率 1 MHz  ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz   最大功率耗散 90 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 90 W  双极晶体管 最大功率耗散 90 W  ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 90 W   最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V 直流  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V 直流  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V 直流  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V 直流   最大集电极-发射极电压 80 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V   最大集电极-基极电压 80 V 直流  ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 80 V 直流  双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V 直流  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V 直流   最大直流集电极电流 10 A  ON Semiconductor 最大直流集电极电流 10 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 10 A  ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 10 A   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 15  ON Semiconductor 最小直流电流增益 15  双极晶体管 最小直流电流增益 15  ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 15  
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TRANS NPN 80V 10A TO-220AB

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Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN

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Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN

RoHS: Not compliant

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: BD809G)

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: BD809G)

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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TRANS, BIPOL, NPN, 80V, TO-220

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BD809 Series 80 V 10 A NPN Plastic High Power Silicon Transistor - TO-220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ON Semi BD809G NPN Bipolar Transistor, 10 A, 80 V, 3-Pin TO-220

RoHS: Compliant

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ON Semiconductor		TRANS NPN 80V 10A BIPO TO-220AB
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ON Semiconductor		TRANS NPN 80V 10A BIPO TO-220AB
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ON Semiconductor - BD809G - ON Semiconductor BD809G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
BD809G
品牌：
ON Semiconductor
库存编号：
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BD809G
ON SEMICONDUCTOR BD809G		2630320

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.5 MHz, 90 W, 10 A, 15 hFE

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ON Semiconductor - BD809G - TRANS NPN 80V 10A TO-220AB		ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB

型号：BD809G
仓库库存编号：BD809GOS-ND
别名：BD809G-ND <br>BD809GOS <br>

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ON Semiconductor		TRANS NPN 80V 10A BIPO TO-220AB
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BD809G产品技术参数资料

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