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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1.1mm
封装类型	SOT-23
高度	1.1mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-6 V
最大功率耗散	300 mW
最大基极-发射极饱和电压	-1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	-300 mV
最大集电极-发射极电压	150 V
最大集电极-基极电压	-200 V
最大直流集电极电流	1 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	100
关键词

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• PBHV9115T 150V 1A PNP high-voltage low VCEsat transistor