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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.8mm
封装类型	SOT-223
高度	1.8mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3 + Tab
最大发射极-基极电压	6 V
最大功率耗散	1.45 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	250 mV
最大集电极-发射极电压	400 V
最大集电极-基极电压	500 V
最大直流集电极电流	1 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	100
关键词

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• PBHV8140Z 500V 1A NPN high-voltage low VCEsat transistor