MMBT5551LT3G,781-4250,ON Semiconductor MMBT5551LT3G , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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MMBT5551LT3G
ON Semiconductor MMBT5551LT3G , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
MMBT5551LT3G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
781-4250
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MMBT5551LT3G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.04mm
尺寸
3.04 x 2.64 x 1.11mm
封装类型
SOT-23
高度
1.11mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
2.64mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
225 mW
最大基极-发射极饱和电压
1 V 直流
最大集电极-发射极饱和电压
0.2 V 直流
最大集电极-发射极电压
160 V
最大集电极-基极电压
180V 直流
最大直流集电极电流
600 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
MMBT5551LT3G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.04mm
ON Semiconductor 长度 3.04mm
双极晶体管 长度 3.04mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 3.04mm
尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
双极晶体管 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 封装类型 SOT-23
双极晶体管 封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.11mm
ON Semiconductor 高度 1.11mm
双极晶体管 高度 1.11mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.11mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.64mm
ON Semiconductor 宽度 2.64mm
双极晶体管 宽度 2.64mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.64mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大功率耗散 225 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 225 mW
双极晶体管 最大功率耗散 225 mW
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 225 mW
最大基极-发射极饱和电压 1 V 直流
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1 V 直流
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1 V 直流
最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V 直流
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V 直流
最大集电极-发射极电压 160 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 160 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 160 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 160 V
最大集电极-基极电压 180V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 180V 直流
双极晶体管 最大集电极-基极电压 180V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 180V 直流
最大直流集电极电流 600 mA
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 600 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 600 mA
ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 600 mA
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 30
ON Semiconductor 最小直流电流增益 30
双极晶体管 最小直流电流增益 30
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 30
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MMBT5551LT3G产品技术参数资料
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