2SC5566-TD-E,774-0736,ON Semiconductor 2SC5566-TD-E , NPN 晶体管, 4 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 PCP封装 ,ON Semiconductor
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2SC5566-TD-E
ON Semiconductor 2SC5566-TD-E , NPN 晶体管, 4 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 PCP封装
制造商零件编号：
2SC5566-TD-E
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
774-0736
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2SC5566-TD-E产品详细信息
通用 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
2SC5566-TD-E产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
4.5mm
尺寸
4.5 x 2.5 x 1.5mm
封装类型
PCP
高度
1.5mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
2.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
1 MHz
最大功率耗散
3.5 W
最大基极-发射极饱和电压
1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
225 mV
最大集电极-发射极电压
50 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大直流集电极电流
4 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
200
关键词
2SC5566-TD-E相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 4.5mm
ON Semiconductor 长度 4.5mm
双极晶体管 长度 4.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 4.5mm
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
双极晶体管 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
封装类型 PCP
ON Semiconductor 封装类型 PCP
双极晶体管 封装类型 PCP
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 PCP
高度 1.5mm
ON Semiconductor 高度 1.5mm
双极晶体管 高度 1.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.5mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.5mm
ON Semiconductor 宽度 2.5mm
双极晶体管 宽度 2.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.5mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 1 MHz
双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
最大功率耗散 3.5 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 3.5 W
双极晶体管 最大功率耗散 3.5 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 3.5 W
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 225 mV
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 225 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 225 mV
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 225 mV
最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大集电极-基极电压 100 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大直流集电极电流 4 A
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 4 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 4 A
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 200
ON Semiconductor 最小直流电流增益 200
双极晶体管 最小直流电流增益 200
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 200
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2SC5566-TD-E产品技术参数资料
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