2SC5376-B(TE85L,F),760-3110,Toshiba 2SC5376-B(TE85L,F) , NPN 晶体管, 400 mA, Vce=12 V, HFE:300, 130 MHz, 3引脚 SSM封装 ,Toshiba
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2SC5376-B(TE85L,F)
Toshiba 2SC5376-B(TE85L,F) , NPN 晶体管, 400 mA, Vce=12 V, HFE:300, 130 MHz, 3引脚 SSM封装
制造商零件编号:
2SC5376-B(TE85L,F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
760-3110
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SC5376-B(TE85L,F)产品详细信息
小信号 NPN 晶体管,Toshiba
2SC5376-B(TE85L,F)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.6mm
尺寸
1.6 x 0.8 x 0.7mm
封装类型
SSM
高度
0.7mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
0.8mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
130 MHz
最大功率耗散
100 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
12 V
最大集电极-基极电压
15 V
最大直流集电极电流
400 mA
最高工作温度
+125 °C
最小直流电流增益
300
关键词
2SC5376-B(TE85L,F)配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba TC75S55F(TE85L,F) 运算放大器, 160kHz增益带宽积, 1.8 → 7 V单电源电压, CMOS输出, 5引脚 SSOP封装
制造商零件编号:
TC75S55F(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
756-3208
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尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm
Toshiba 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm
双极晶体管 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm
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封装类型 SSM
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高度 0.7mm
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晶体管类型 NPN
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晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
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宽度 0.8mm
Toshiba 宽度 0.8mm
双极晶体管 宽度 0.8mm
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每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 5 V
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最大工作频率 130 MHz
Toshiba 最大工作频率 130 MHz
双极晶体管 最大工作频率 130 MHz
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最大功率耗散 100 mW
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最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
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2SC5376-B(TE85L,F)产品技术参数资料
2SC5376, Transistor Silicon NPN Epitaxial
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