HN1B01F-Y(TE85L,F),756-0587,Toshiba HN1B01F-Y(TE85L,F), 双 NPN,PNP 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz, 6引脚 SM封装 ,Toshiba
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HN1B01F-Y(TE85L,F)
Toshiba HN1B01F-Y(TE85L,F), 双 NPN,PNP 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz, 6引脚 SM封装
制造商零件编号:
HN1B01F-Y(TE85L,F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
756-0587
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
HN1B01F-Y(TE85L,F)产品详细信息
双 NPN/PNP 晶体管,Toshiba
HN1B01F-Y(TE85L,F)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.6 x 1.1mm
封装类型
SM
高度
1.1mm
晶体管类型
NPN,PNP
晶体管配置
隔离式
宽度
1.6mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
5 (NPN) V,-5 (PNP) V
最大工作频率
120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz
最大功率耗散
300 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 (NPN) V,-0.3 (PNP) V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大集电极-基极电压
-50 V, 60 V
最大直流集电极电流
150 mA
最高工作温度
+125 °C
最小直流电流增益
120
关键词
HN1B01F-Y(TE85L,F)相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
Toshiba 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Toshiba 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
Toshiba 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
Toshiba 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm
封装类型 SM
Toshiba 封装类型 SM
双极晶体管 封装类型 SM
Toshiba 双极晶体管 封装类型 SM
高度 1.1mm
Toshiba 高度 1.1mm
双极晶体管 高度 1.1mm
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晶体管类型 NPN,PNP
Toshiba 晶体管类型 NPN,PNP
双极晶体管 晶体管类型 NPN,PNP
Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 NPN,PNP
晶体管配置 隔离式
Toshiba 晶体管配置 隔离式
双极晶体管 晶体管配置 隔离式
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宽度 1.6mm
Toshiba 宽度 1.6mm
双极晶体管 宽度 1.6mm
Toshiba 双极晶体管 宽度 1.6mm
每片芯片元件数目 2
Toshiba 每片芯片元件数目 2
双极晶体管 每片芯片元件数目 2
Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
Toshiba 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
Toshiba 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 5 (NPN) V,-5 (PNP) V
Toshiba 最大发射极-基极电压 5 (NPN) V,-5 (PNP) V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 (NPN) V,-5 (PNP) V
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最大工作频率 120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz
Toshiba 最大工作频率 120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz
双极晶体管 最大工作频率 120 (PNP) MHz,150 (NPN) MHz
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最大功率耗散 300 mW
Toshiba 最大功率耗散 300 mW
双极晶体管 最大功率耗散 300 mW
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最大集电极-发射极饱和电压 0.25 (NPN) V,-0.3 (PNP) V
Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 (NPN) V,-0.3 (PNP) V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 (NPN) V,-0.3 (PNP) V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 (NPN) V,-0.3 (PNP) V
最大集电极-发射极电压 50 V
Toshiba 最大集电极-发射极电压 50 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大集电极-基极电压 -50 V, 60 V
Toshiba 最大集电极-基极电压 -50 V, 60 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V, 60 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -50 V, 60 V
最大直流集电极电流 150 mA
Toshiba 最大直流集电极电流 150 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 150 mA
Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 150 mA
最高工作温度 +125 °C
Toshiba 最高工作温度 +125 °C
双极晶体管 最高工作温度 +125 °C
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最小直流电流增益 120
Toshiba 最小直流电流增益 120
双极晶体管 最小直流电流增益 120
Toshiba 双极晶体管 最小直流电流增益 120
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HN1B01F-Y(TE85L,F)产品技术参数资料
HN1B01F,Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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