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安装类型	表面贴装
长度	4.6mm
尺寸	4.6 x 2.5 x 1.6mm
封装类型	SC-62
高度	1.6mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	2.5mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-7 V
最大功率耗散	2 W
最大基极-发射极饱和电压	-1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	-0.14 V
最大集电极-发射极电压	20 V
最大集电极-基极电压	-20 V
最大直流集电极电流	1.5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	125
关键词

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.6mm  Toshiba 长度 4.6mm  双极晶体管 长度 4.6mm  Toshiba 双极晶体管 长度 4.6mm   尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm  Toshiba 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm  双极晶体管 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm  Toshiba 双极晶体管 尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm   封装类型 SC-62  Toshiba 封装类型 SC-62  双极晶体管 封装类型 SC-62  Toshiba 双极晶体管 封装类型 SC-62   高度 1.6mm  Toshiba 高度 1.6mm  双极晶体管 高度 1.6mm  Toshiba 双极晶体管 高度 1.6mm   晶体管类型 PNP  Toshiba 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Toshiba 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.5mm  Toshiba 宽度 2.5mm  双极晶体管 宽度 2.5mm  Toshiba 双极晶体管 宽度 2.5mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Toshiba 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -7 V  Toshiba 最大发射极-基极电压 -7 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -7 V  Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -7 V   最大功率耗散 2 W  Toshiba 最大功率耗散 2 W  双极晶体管 最大功率耗散 2 W  Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 2 W   最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  Toshiba 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V  Toshiba 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.1 V   最大集电极-发射极饱和电压 -0.14 V  Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 -0.14 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.14 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.14 V   最大集电极-发射极电压 20 V  Toshiba 最大集电极-发射极电压 20 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 20 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 20 V   最大集电极-基极电压 -20 V  Toshiba 最大集电极-基极电压 -20 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -20 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -20 V   最大直流集电极电流 1.5 A  Toshiba 最大直流集电极电流 1.5 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 1.5 A  Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 1.5 A   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 125  Toshiba 最小直流电流增益 125  双极晶体管 最小直流电流增益 125  Toshiba 双极晶体管 最小直流电流增益 125  

• 2SA2069,Transistor Silicon PNP Epitaxial Type