BCW 68G,753-2778,Infineon BCW 68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:630, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
双极晶体管
>
BCW 68G
Infineon BCW 68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:630, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BCW 68G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
753-2778
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCW 68G产品详细信息
通用 PNP 晶体管,Infineon
BCW 68G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型
SOT-23
高度
0.9mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
200 MHz
最大功率耗散
330 mW
最大基极-发射极饱和电压
2 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.7 V
最大集电极-发射极电压
45 V
最大集电极-基极电压
45 V
最大直流集电极电流
800mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
630
关键词
BCW 68G相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型 SOT-23
Infineon 封装类型 SOT-23
双极晶体管 封装类型 SOT-23
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.9mm
Infineon 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Infineon 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 200 MHz
Infineon 最大工作频率 200 MHz
双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
最大功率耗散 330 mW
Infineon 最大功率耗散 330 mW
双极晶体管 最大功率耗散 330 mW
Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 330 mW
最大基极-发射极饱和电压 2 V
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V
最大集电极-发射极电压 45 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 45 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V
最大集电极-基极电压 45 V
Infineon 最大集电极-基极电压 45 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V
最大直流集电极电流 800mA
Infineon 最大直流集电极电流 800mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 800mA
Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 800mA
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 630
Infineon 最小直流电流增益 630
双极晶体管 最小直流电流增益 630
Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 630
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
BCW 68G产品技术参数资料
BCW67, BCW68, PNP Silicon AF Transistor
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号