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安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型	SOT-223
高度	1.6mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.5mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3 + Tab
最大发射极-基极电压	6 V
最大功率耗散	1.5 W
最大基极-发射极饱和电压	0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.5 V
最大集电极-发射极电压	300 V
最大集电极-基极电压	300 V
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	25
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Infineon 长度 6.5mm  双极晶体管 长度 6.5mm  Infineon 双极晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm   封装类型 SOT-223  Infineon 封装类型 SOT-223  双极晶体管 封装类型 SOT-223  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.6mm  Infineon 高度 1.6mm  双极晶体管 高度 1.6mm  Infineon 双极晶体管 高度 1.6mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.5mm  Infineon 宽度 3.5mm  双极晶体管 宽度 3.5mm  Infineon 双极晶体管 宽度 3.5mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3 + Tab  Infineon 引脚数目 3 + Tab  双极晶体管 引脚数目 3 + Tab  Infineon 双极晶体管 引脚数目 3 + Tab   最大发射极-基极电压 6 V  Infineon 最大发射极-基极电压 6 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V   最大功率耗散 1.5 W  Infineon 最大功率耗散 1.5 W  双极晶体管 最大功率耗散 1.5 W  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 1.5 W   最大基极-发射极饱和电压 0.9 V  Infineon 最大基极-发射极饱和电压 0.9 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.9 V  Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.9 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V   最大集电极-发射极电压 300 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 300 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V   最大集电极-基极电压 300 V  Infineon 最大集电极-基极电压 300 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 300 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 300 V   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 25  Infineon 最小直流电流增益 25  双极晶体管 最小直流电流增益 25  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 25  

• BFN38, NPN Silicon High-Voltage Transistor