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安装类型	表面贴装
长度	6.55mm
尺寸	6.55 x 3.55 x 1.65mm
封装类型	SOT-223
高度	1.65mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.55mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3 + Tab
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	155 MHz
最大功率耗散	2.5 W
最大基极-发射极饱和电压	1100 mV
最大集电极-发射极饱和电压	340 mV
最大集电极-发射极电压	40 V
最大集电极-基极电压	150 V
最大直流集电极电流	5 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	40
关键词

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• SOT223 NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor