BC80725MTF,739-0426,Fairchild Semiconductor BC80725MTF , PNP 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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BC80725MTF
Fairchild Semiconductor BC80725MTF , PNP 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BC80725MTF
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0426
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BC80725MTF产品详细信息
小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor
BC80725MTF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.96mm
封装类型
SOT-23
高度
0.96mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
310 mW
最大基极-发射极饱和电压
-1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.7 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大直流集电极电流
800mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
60
关键词
BC80725MTF相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Fairchild Semiconductor 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.96mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.96mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.96mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.96mm
封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23
双极晶体管 封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.96mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.96mm
双极晶体管 高度 0.96mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 0.96mm
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Fairchild Semiconductor 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 100 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 310 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 310 mW
双极晶体管 最大功率耗散 310 mW
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 310 mW
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.7 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.7 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.7 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.7 V
最大集电极-发射极电压 50 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最大直流集电极电流 800mA
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 800mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 800mA
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 800mA
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 60
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 60
双极晶体管 最小直流电流增益 60
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 60
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BC80725MTF产品技术参数资料
Transistor GP BJT PNP 45V 0.8A SOT23
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