STD888T4,686-7900,STMicroelectronics STD888T4 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=30 V, HFE:15, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STD888T4
STMicroelectronics STD888T4 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=30 V, HFE:15, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
STD888T4
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
686-7900
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD888T4产品详细信息
PNP 功率晶体管,STMicroelectronics
STD888T4产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
2.4 x 6.6 x 6.2mm
封装类型
DPAK
高度
2.4mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
6.2mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大功率耗散
15 W
最大基极-发射极饱和电压
1.4 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
60 V
最大直流集电极电流
5 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
15
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长度 6.6mm
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双极晶体管 长度 6.6mm
STMicroelectronics 双极晶体管 长度 6.6mm
尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
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双极晶体管 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
STMicroelectronics 双极晶体管 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
封装类型 DPAK
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双极晶体管 封装类型 DPAK
STMicroelectronics 双极晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.4mm
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晶体管类型 PNP
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晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 6.2mm
STMicroelectronics 宽度 6.2mm
双极晶体管 宽度 6.2mm
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每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 6 V
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双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
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最大功率耗散 15 W
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双极晶体管 最大功率耗散 15 W
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最大基极-发射极饱和电压 1.4 V
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最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
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最小直流电流增益 15
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双极晶体管 最小直流电流增益 15
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STD888T4产品技术参数资料
Transistor Bipolar PNP 30V 5A DPAK
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