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安装类型	通孔
长度	5.1mm
尺寸	4.7 x 5.1 x 4.1mm
封装类型	TO-92
高度	4.7mm
晶体管类型	PNP
宽度	4.1mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	80 MHz
最大功率耗散	400 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大集电极-基极电压	50 V
最大直流集电极电流	150 mA
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+125 °C
最小直流电流增益	120
关键词

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• Semi,Descrete,Transistor