PBSS5350T,518-1974,NXP PBSS5350T , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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NXP PBSS5350T , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号：
PBSS5350T
库存编号：
518-1974
Nexperia PBSS5350T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PBSS5350T产品详细信息

低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia

一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS5350T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  1 x 3 x 1.4mm  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  100 MHz  
  最大功率耗散  1.2 W  
  最大基极-发射极饱和电压  1.2 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.39 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大集电极-基极电压  50 V  
  最大直流集电极电流  2 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  80  
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