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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	1 x 3 x 1.4mm
封装类型	TO-236AB
高度	1mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	220 MHz
最大功率耗散	1.25 W
最大基极-发射极饱和电压	1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.33 V
最大集电极-发射极电压	60 V
最大集电极-基极电压	80 V
最大直流集电极电流	1 A
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	100
关键词

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• PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat(BISS) transistor Data Sheet