PBSS5130T,518-1750,Nexperia PBSS5130T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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Nexperia PBSS5130T , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号：
PBSS5130T
库存编号：
518-1750
Nexperia PBSS5130T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PBSS5130T产品详细信息

低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia

一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS5130T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  1 x 3 x 1.4mm  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  200 MHz  
  最大功率耗散  480 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.225 V  
  最大集电极-发射极电压  30 V  
  最大集电极-基极电压  30 V  
  最大直流集电极电流  1 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  201  
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电话:400-900-3095
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PBSS5130T产品技术参数资料

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