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安装类型	表面贴装
长度	1.02mm
尺寸	0.47 x 1.02 x 0.62mm
封装类型	SC-101
高度	0.47mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	0.62mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	6 V
最大工作频率	420 MHz
最大功率耗散	430 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.1 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.25 V
最大集电极-发射极电压	15 V
最大集电极-基极电压	15 V
最大直流集电极电流	500 mA
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	90
关键词

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• PBSS2515M 15V, 0.5A NPN low VCEsat (BISS) transistor Data Sheet