TIP31C,485-9755,STMicroelectronics TIP31C , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
双极晶体管
>
TIP31C
STMicroelectronics TIP31C , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
TIP31C
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
485-9755
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TIP31C产品详细信息
NPN 功率晶体管,STMicroelectronics
TIP31C产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
9.15 x 10.4 x 4.6mm
封装类型
TO-220
高度
9.15mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
2 W
最大集电极-发射极饱和电压
1.2 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
100 V
最大直流集电极电流
3 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
10
关键词
TIP31C配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-54, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4881
搜索
TIP31C相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
双极晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics 双极晶体管 长度 10.4mm
尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm
双极晶体管 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 双极晶体管 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
双极晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics 双极晶体管 封装类型 TO-220
高度 9.15mm
STMicroelectronics 高度 9.15mm
双极晶体管 高度 9.15mm
STMicroelectronics 双极晶体管 高度 9.15mm
晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
双极晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics 双极晶体管 宽度 4.6mm
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
STMicroelectronics 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
STMicroelectronics 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 2 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 2 W
双极晶体管 最大功率耗散 2 W
STMicroelectronics 双极晶体管 最大功率耗散 2 W
最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V
STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V
STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V
最大集电极-发射极电压 100 V
STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 100 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 100 V
STMicroelectronics 最大集电极-基极电压 100 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-基极电压 100 V
最大直流集电极电流 3 A
STMicroelectronics 最大直流集电极电流 3 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A
STMicroelectronics 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A
最低工作温度 -65 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -65 °C
双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
STMicroelectronics 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 10
STMicroelectronics 最小直流电流增益 10
双极晶体管 最小直流电流增益 10
STMicroelectronics 双极晶体管 最小直流电流增益 10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
TIP31C产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号