D45H11,485-9143,STMicroelectronics D45H11 , PNP 晶体管, 20 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics D45H11 , PNP 晶体管, 20 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
D45H11
库存编号：
485-9143
STMicroelectronics D45H11
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

D45H11产品详细信息

PNP 功率晶体管，STMicroelectronics

D45H11产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  9.15 x 10.4 x 4.6mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.15mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  50 W  
  最大基极-发射极饱和电压  1.5 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  1 V  
  最大集电极-发射极电压  80 V  
  最大集电极-基极电压  80 V  
  最大直流集电极电流  20 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  40  
关键词         

D45H11配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

D45H11相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  双极晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics 双极晶体管 长度 10.4mm   尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm  STMicroelectronics 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm  双极晶体管 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm  STMicroelectronics 双极晶体管 尺寸 9.15 x 10.4 x 4.6mm   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  双极晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics 双极晶体管 封装类型 TO-220   高度 9.15mm  STMicroelectronics 高度 9.15mm  双极晶体管 高度 9.15mm  STMicroelectronics 双极晶体管 高度 9.15mm   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  双极晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics 双极晶体管 宽度 4.6mm   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 50 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 50 W  双极晶体管 最大功率耗散 50 W  STMicroelectronics 双极晶体管 最大功率耗散 50 W   最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  STMicroelectronics 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V   最大集电极-发射极饱和电压 1 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极饱和电压 1 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V   最大集电极-发射极电压 80 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V   最大集电极-基极电压 80 V  STMicroelectronics 最大集电极-基极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V  STMicroelectronics 双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V   最大直流集电极电流 20 A  STMicroelectronics 最大直流集电极电流 20 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 20 A  STMicroelectronics 双极晶体管 最大直流集电极电流 20 A   最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 40  STMicroelectronics 最小直流电流增益 40  双极晶体管 最小直流电流增益 40  STMicroelectronics 双极晶体管 最小直流电流增益 40  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

D45H11产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号