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安装类型	通孔
长度	10.4mm
尺寸	8.72 x 10.4 x 4.7mm
封装类型	TO-220
高度	8.72mm
晶体管类型	NPN
宽度	4.7mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	30000 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.7 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	140 V
最大直流集电极电流	1 A
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	15
关键词

安装类型 通孔  Bourns 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  Bourns 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  Bourns 长度 10.4mm  双极晶体管 长度 10.4mm  Bourns 双极晶体管 长度 10.4mm   尺寸 8.72 x 10.4 x 4.7mm  Bourns 尺寸 8.72 x 10.4 x 4.7mm  双极晶体管 尺寸 8.72 x 10.4 x 4.7mm  Bourns 双极晶体管 尺寸 8.72 x 10.4 x 4.7mm   封装类型 TO-220  Bourns 封装类型 TO-220  双极晶体管 封装类型 TO-220  Bourns 双极晶体管 封装类型 TO-220   高度 8.72mm  Bourns 高度 8.72mm  双极晶体管 高度 8.72mm  Bourns 双极晶体管 高度 8.72mm   晶体管类型 NPN  Bourns 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Bourns 双极晶体管 晶体管类型 NPN   宽度 4.7mm  Bourns 宽度 4.7mm  双极晶体管 宽度 4.7mm  Bourns 双极晶体管 宽度 4.7mm   每片芯片元件数目 1  Bourns 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Bourns 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Bourns 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Bourns 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Bourns 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Bourns 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 30000 mW  Bourns 最大功率耗散 30000 mW  双极晶体管 最大功率耗散 30000 mW  Bourns 双极晶体管 最大功率耗散 30000 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V  Bourns 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V  Bourns 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V   最大集电极-发射极电压 100 V  Bourns 最大集电极-发射极电压 100 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  Bourns 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 140 V  Bourns 最大集电极-基极电压 140 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 140 V  Bourns 双极晶体管 最大集电极-基极电压 140 V   最大直流集电极电流 1 A  Bourns 最大直流集电极电流 1 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A  Bourns 双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A   最低工作温度 -65 °C  Bourns 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  Bourns 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  Bourns 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Bourns 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 15  Bourns 最小直流电流增益 15  双极晶体管 最小直流电流增益 15  Bourns 双极晶体管 最小直流电流增益 15  

• TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C NPN SILICON POWER TRANSISTORS Data Sheet