BDP 948 H6327,110-7482,Infineon BDP 948 H6327 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon BDP 948 H6327 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

制造商零件编号:
BDP 948 H6327
库存编号:
110-7482
Infineon BDP 948 H6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BDP 948 H6327产品详细信息

通用 PNP 晶体管,Infineon

BDP 948 H6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 3.5 x 1.5mm  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3 + Tab  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  5 W  
  最大基极-发射极饱和电压  1.3 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.5 V  
  最大集电极-发射极电压  45 V  
  最大集电极-基极电压  45 V  
  最大直流集电极电流  3 A  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  15  
关键词         

BDP 948 H6327相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Infineon 长度 6.5mm  双极晶体管 长度 6.5mm  Infineon 双极晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 3.5 x 1.5mm  Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.5mm  双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.5mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.5mm   封装类型 SOT-223  Infineon 封装类型 SOT-223  双极晶体管 封装类型 SOT-223  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.5mm  Infineon 高度 1.5mm  双极晶体管 高度 1.5mm  Infineon 双极晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  双极晶体管 晶体管材料 Si  Infineon 双极晶体管 晶体管材料 Si   晶体管类型 PNP  Infineon 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.5mm  Infineon 宽度 3.5mm  双极晶体管 宽度 3.5mm  Infineon 双极晶体管 宽度 3.5mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3 + Tab  Infineon 引脚数目 3 + Tab  双极晶体管 引脚数目 3 + Tab  Infineon 双极晶体管 引脚数目 3 + Tab   最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 5 W  Infineon 最大功率耗散 5 W  双极晶体管 最大功率耗散 5 W  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 5 W   最大基极-发射极饱和电压 1.3 V  Infineon 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V  Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V   最大集电极-发射极电压 45 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 45 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V   最大集电极-基极电压 45 V  Infineon 最大集电极-基极电压 45 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 45 V   最大直流集电极电流 3 A  Infineon 最大直流集电极电流 3 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 15  Infineon 最小直流电流增益 15  双极晶体管 最小直流电流增益 15  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 15  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BDP 948 H6327产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号