MJD44H11T4,102-4112,STMicroelectronics MJD44H11T4 , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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MJD44H11T4
STMicroelectronics MJD44H11T4 , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
MJD44H11T4
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
102-4112
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MJD44H11T4产品详细信息
NPN 功率晶体管,STMicroelectronics
MJD44H11T4产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
2.4 x 6.6 x 6.2mm
封装类型
DPAK
高度
2.4mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
6.2mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
20 W
最大基极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
1 V
最大集电极-发射极电压
80 V
最大集电极-基极电压
80 V
最大直流集电极电流
8 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
40
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长度 6.6mm
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尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
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双极晶体管 尺寸 2.4 x 6.6 x 6.2mm
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封装类型 DPAK
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双极晶体管 封装类型 DPAK
STMicroelectronics 双极晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.4mm
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晶体管类型 NPN
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双极晶体管 晶体管类型 NPN
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晶体管配置 单
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双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 6.2mm
STMicroelectronics 宽度 6.2mm
双极晶体管 宽度 6.2mm
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每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
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双极晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 20 W
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最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
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