PBSS3540E,485-476,NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装 ,NXP
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NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装

制造商零件编号:
PBSS3540E
制造商:
NXP NXP
库存编号:
485-476
NXP PBSS3540E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PBSS3540E产品详细信息

低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS3540E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  0.85 x 1.8 x 0.9mm  
  封装类型  SMPAK  
  高度  0.85mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  6 V  
  最大工作频率  300 MHz  
  最大功率耗散  250 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  1.2 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.35 V  
  最大集电极-发射极电压  40 V  
  最大集电极-基极电压  40 V  
  最大直流集电极电流  500 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  40  
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PBSS3540E产品技术参数资料

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