PBSS3540E,485-476,NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装 ,NXP
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NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装

制造商零件编号:
PBSS3540E
制造商:
NXP NXP
库存编号:
485-476
NXP PBSS3540E
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PBSS3540E产品详细信息

低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

PBSS3540E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.8mm  
  尺寸  0.85 x 1.8 x 0.9mm  
  封装类型  SMPAK  
  高度  0.85mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.9mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  6 V  
  最大工作频率  300 MHz  
  最大功率耗散  250 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  1.2 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.35 V  
  最大集电极-发射极电压  40 V  
  最大集电极-基极电压  40 V  
  最大直流集电极电流  500 mA  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  40  
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PBSS3540E相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  NXP 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.8mm  NXP 长度 1.8mm  双极晶体管 长度 1.8mm  NXP 双极晶体管 长度 1.8mm   尺寸 0.85 x 1.8 x 0.9mm  NXP 尺寸 0.85 x 1.8 x 0.9mm  双极晶体管 尺寸 0.85 x 1.8 x 0.9mm  NXP 双极晶体管 尺寸 0.85 x 1.8 x 0.9mm   封装类型 SMPAK  NXP 封装类型 SMPAK  双极晶体管 封装类型 SMPAK  NXP 双极晶体管 封装类型 SMPAK   高度 0.85mm  NXP 高度 0.85mm  双极晶体管 高度 0.85mm  NXP 双极晶体管 高度 0.85mm   晶体管类型 PNP  NXP 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  NXP 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  NXP 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.9mm  NXP 宽度 0.9mm  双极晶体管 宽度 0.9mm  NXP 双极晶体管 宽度 0.9mm   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  NXP 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 6 V  NXP 最大发射极-基极电压 6 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V  NXP 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V   最大工作频率 300 MHz  NXP 最大工作频率 300 MHz  双极晶体管 最大工作频率 300 MHz  NXP 双极晶体管 最大工作频率 300 MHz   最大功率耗散 250 mW  NXP 最大功率耗散 250 mW  双极晶体管 最大功率耗散 250 mW  NXP 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  NXP 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  NXP 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.35 V  NXP 最大集电极-发射极饱和电压 0.35 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.35 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.35 V   最大集电极-发射极电压 40 V  NXP 最大集电极-发射极电压 40 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V   最大集电极-基极电压 40 V  NXP 最大集电极-基极电压 40 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 40 V  NXP 双极晶体管 最大集电极-基极电压 40 V   最大直流集电极电流 500 mA  NXP 最大直流集电极电流 500 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA  NXP 双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 40  NXP 最小直流电流增益 40  双极晶体管 最小直流电流增益 40  NXP 双极晶体管 最小直流电流增益 40  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PBSS3540E,115
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Nexperia

Bipolar Transistors - BJT LOW VCESAT (BLISS)

RoHS: Compliant

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PBSS3540E T/R
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Bipolar Transistors - BJT LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7

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型号 制造商 描述 操作
PBSS3540E115
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NXP Semiconductors  

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NXP USA Inc. - PBSS3540E,115 - TRANS PNP 40V 0.5A SC75
NXP USA Inc.
TRANS PNP 40V 0.5A SC75

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 500mA 300MHz 250mW Surface Mount SC-75

型号:PBSS3540E,115
仓库库存编号:568-6850-1-ND
别名:568-6850-1 <br>

无铅
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NXP - PBSS3540E - NXP PBSS3540E , PNP 低饱和度双极晶体管, 500 mA, Vce=40 V, HFE:40, 300 MHz, 3引脚 SMPAK封装

制造商零件编号:
PBSS3540E
品牌:
NXP
库存编号:
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无图PBSS3540E
NXP
Transistor,bipolar,PNP,SOT416,PBSS3540E
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无图PBSS3540E 115
NXP Semiconductors
两极晶体管 - BJT LOW VCESAT (BLISS)
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无图PBSS3540E T/R
NXP Semiconductors
两极晶体管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7
Rohs

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PBSS3540E,115|NXPPBSS3540E,115
NXP
PBSS3540E 系列 40 V 0.5 A 150 mW 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SC-75
Rohs

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无图PBSS3540E115
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两极晶体管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7
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PBSS3540E,115|NXPPBSS3540E,115
NXP
PBSS3540E 系列 40 V 0.5 A 150 mW 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SC-75
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PBSS3540E,115|NXP SemiconductorsPBSS3540E,115
NXP Semiconductors
TRANS PNP 40V 500MA SC75
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TRANS PNP 40V 500MA SC75
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PBSS3540E产品技术参数资料

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