PZT2907AT1G,464-160,ON Semiconductor PZT2907AT1G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,ON Semiconductor
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PZT2907AT1G
ON Semiconductor PZT2907AT1G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号：
PZT2907AT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
464-160
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PZT2907AT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
1.57 x 6.5 x 3.5mm
封装类型
SOT-223
高度
1.57mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
3.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
200 MHz
最大功率耗散
1.5 W
最大基极-发射极饱和电压
2.6 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
60 V
最大直流集电极电流
600 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
50
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PZT2907AT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
ON Semiconductor 长度 6.5mm
双极晶体管 长度 6.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 6.5mm
尺寸 1.57 x 6.5 x 3.5mm
ON Semiconductor 尺寸 1.57 x 6.5 x 3.5mm
双极晶体管 尺寸 1.57 x 6.5 x 3.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 1.57 x 6.5 x 3.5mm
封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 封装类型 SOT-223
双极晶体管 封装类型 SOT-223
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.57mm
ON Semiconductor 高度 1.57mm
双极晶体管 高度 1.57mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 1.57mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.5mm
ON Semiconductor 宽度 3.5mm
双极晶体管 宽度 3.5mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.5mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3 + Tab
ON Semiconductor 引脚数目 3 + Tab
双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 200 MHz
ON Semiconductor 最大工作频率 200 MHz
双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
最大功率耗散 1.5 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 1.5 W
双极晶体管 最大功率耗散 1.5 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 1.5 W
最大基极-发射极饱和电压 2.6 V
ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 2.6 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.6 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 60 V
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最大直流集电极电流 600 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 600 mA
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最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 50
ON Semiconductor 最小直流电流增益 50
双极晶体管 最小直流电流增益 50
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PZT2907AT1G产品技术参数资料
PZT2907A, PNP Silicon Epitaxial Transistor
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