MJD44H11T4G,463-638,ON Semiconductor MJD44H11T4G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor MJD44H11T4G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
MJD44H11T4G
库存编号：
463-638
ON Semiconductor MJD44H11T4G
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MJD44H11T4G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  2.38 x 6.73 x 6.22mm  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.38mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大工作频率  85 MHz  
  最大功率耗散  1750 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  1.5 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  1 V  
  最大集电极-发射极电压  80 V  
  最大直流集电极电流  8 A  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  40  
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安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  ON Semiconductor 长度 6.73mm  双极晶体管 长度 6.73mm  ON Semiconductor 双极晶体管 长度 6.73mm   尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm  ON Semiconductor 尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm  双极晶体管 尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm  ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm   封装类型 DPAK  ON Semiconductor 封装类型 DPAK  双极晶体管 封装类型 DPAK  ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.38mm  ON Semiconductor 高度 2.38mm  双极晶体管 高度 2.38mm  ON Semiconductor 双极晶体管 高度 2.38mm   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  ON Semiconductor 宽度 6.22mm  双极晶体管 宽度 6.22mm  ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大工作频率 85 MHz  ON Semiconductor 最大工作频率 85 MHz  双极晶体管 最大工作频率 85 MHz  ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 85 MHz   最大功率耗散 1750 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 1750 mW  双极晶体管 最大功率耗散 1750 mW  ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 1750 mW   最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V   最大集电极-发射极饱和电压 1 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V   最大集电极-发射极电压 80 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V  ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V   最大直流集电极电流 8 A  ON Semiconductor 最大直流集电极电流 8 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 8 A  ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 8 A   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 40  ON Semiconductor 最小直流电流增益 40  双极晶体管 最小直流电流增益 40  ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 40  
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ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

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ON Semi NJVMJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

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Transistor: NPN, bipolar, 80V, 8A, 20W, DPAK

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8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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ON Semiconductor - MJD44H11T4G - TRANS NPN 80V 8A DPAK		ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 8A DPAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3

型号：MJD44H11T4G
仓库库存编号：MJD44H11T4GOSCT-ND
别名：MJD44H11T4GOSCT <br>

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ON Semiconductor - MJD44H11T4G - ON Semiconductor MJD44H11T4G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK封装
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品牌：
ON Semiconductor
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晶体管, NPN

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单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 85 Hz, 20 W, 8 A, 60 hFE

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ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G		2533327

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE

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ON Semiconductor - MJD44H11T4G - 3-Pin DPAK 80 V 8 A ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor|70340244 | ChuangWei Electronics		ON Semiconductor
ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

型号：MJD44H11T4G
仓库库存编号：70340244

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MJD44H11T4G产品技术参数资料

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